萬躍鵬:高效光伏時代需要差異化、高性能的硅片
光伏產業(yè)網訊
發(fā)布日期:2018-05-29
核心提示:
5月28日,第十二屆SNEC大會召開光伏科學家大會。保利協(xié)鑫首席技術官萬躍鵬受邀主持“硅料與晶片分會”并做報告。萬躍鵬指出,高效光伏需求催生出各種技術路徑,而高性能、差異化的硅材料將支撐高效電池、組件技術的發(fā)展。
5月28日,第十二屆SNEC大會召開光伏科學家大會。保利協(xié)鑫首席技術官萬躍鵬受邀主持“硅料與晶片分會”并做報告。萬躍鵬指出,高效光伏需求催生出各種技術路徑,而高性能、差異化的硅材料將支撐高效電池、組件技術的發(fā)展。
萬躍鵬表示,硅片主要從晶體質量和表面質量兩個維度影響了電池轉換效率。在晶體質量方面,提升方法主要有:提升少子壽命、降低多晶硅片的位錯密度、降低氧濃度、降低碳濃度、收窄電阻率分布等。而在表面質量方面,提升方法主要有:控制濕法黑硅制絨片的反射率、加大隱裂檢查、降低表面金屬離子殘留、減少線痕等。
沿著這些路徑,保利協(xié)鑫進行了多種高效產品的研發(fā),并提供定制化產品解決方案以滿足市場需求。以電阻率這一關鍵指標為例,保利協(xié)鑫通過RCz多次加料直拉、CCz連續(xù)直拉等技術,對單晶硅片的電阻率分布范圍進行了差異化控制。相比于業(yè)界主流的RCz技術,更加先進的CCz技術氧含量更低且更均勻、金屬雜質累積速度更慢,更重要的是其軸向電阻率分布均勻,并且其波動可以控制在10%以內。這使得CCz單晶硅片更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。
在多晶硅片領域,保利協(xié)鑫則憑借先進的成核技術、高純材料和電阻率優(yōu)化,為更高效率需求提供選擇。基于保利協(xié)鑫金剛線切硅片,疊加RIE干法黑硅和PERC技術,協(xié)鑫量產的MBB電池轉換效率已超過20.8%,組件CTM大于98%。60片組件中,295W以上的比例超過95%;其中300W以上的比例超過56%。
濕法黑硅技術提供了高效多晶硅片的另一種選擇。保利協(xié)鑫研發(fā)的TS+第二代黑硅片,制絨成本降低約30%,背面拋光工藝并更適用于PERC技術。通過一系列工藝技術優(yōu)化,保利協(xié)鑫第二代黑硅片的電池效率增益將于今年提升至0.5%,而組件功率增益也將提升至5W(60片)。
差異化的高效產品還包括鑄錠單晶硅片,保利協(xié)鑫一直在進行該技術的研發(fā)。萬躍鵬表示,采用鑄錠方法生產的單晶硅片主要優(yōu)勢是成本大大降低。此外,大尺寸硅片、長方形硅片也是重要的發(fā)展方向。157.75mm規(guī)格的大尺寸硅片已應用在當前的組件產品中,而更大尺寸的161.75mm硅片可用于MWT組件。保利協(xié)鑫先進的硅片技術可以滿足高效率、定制化產品的需求。