中來股份董事長林建偉對J-TOPCon2.0技術的應用和發(fā)展非常有信心，他表示：“這次TOPCon技術的進步是我們多年夢寐以求的目標，我非常激動中來能夠引領行業(yè)，把TOPCon制造技術推向一個新的高度。我們愿意一起跟同行分享這個新技術，為高效太陽能電池的生產普及做貢獻。”

　　

　　中來TOPCon 1.0制造工藝和技術是基于N 型硅片，通過隧穿氧化層和摻雜多晶硅實現(xiàn)鈍化接觸，大幅度提高電池效率。經過多年研發(fā)和生產調試，中來量產效率雖然達到了世界領先的23.5%+，但是由于隧穿氧化層通過高溫氧化， LPCVD沉積非晶硅，離子注入摻磷，并經高溫退火，多晶硅繞鍍清洗等多道工序完成。相比于PERC電池量產，生產成本和良率是長期困擾的難題。

　　

　　此次J-TOPCon 2.0新技術是與江蘇杰太光電技術有限公司合作，利用其獨創(chuàng)的線性等離子源技術，共同開發(fā)了一套全新的POPAID技術 (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等離子氧化及等離子輔助原位摻雜技術。POPAID利用鏈式平臺傳輸載板，能夠在不破真空情況下同時完成隧穿氧化和摻雜非晶硅沉積，真正做到無繞鍍。POPAID技術是全新的中國創(chuàng)新概念和技術，他是在光伏電池制造領域難得的中國原創(chuàng)、世界領先的鍍膜概念。

　　

　　POPAID設備上實現(xiàn)了多項創(chuàng)新工藝，其中等離子氧化硅的形成(PO)對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。

　　

　　達到表面鈍化和接觸選擇性同時提升的效果，均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜(PAID)工藝，該設備采用等離子強化的鍍膜工藝，實現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可高達4×1020原子/cm3，是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經兩道工藝的整合，J-TOPCon 2.0電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上，開路電壓(Voc)，填充因子(FF)均有提升。良率也可提高2%。

　　

　　POPAID裝備技術使一臺設備可以替代現(xiàn)有管式高溫氧化、管式LPCVD，離子注入去繞鍍清洗四道工序的四臺設備，量產設備產能達到8000片/小時。

　　

　　中來稱，由于利用POPAID 技術使原來TOPCon 12道制造工序縮短到9道工序。這不僅提升電池效率，而且提升生產良率和降低生產成本，可跟高效PERC電池工藝流程相媲美?？梢哉f，J-TOPCon 2.0為新一代高效TOPCon電池的量產推廣鋪平了道路，這是對TOPCon技術的一次革命性貢獻。