HIT太陽能電池既利用了薄膜太陽能電池的制造工藝優(yōu)勢，又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點，其具有以下顯著優(yōu)點：

(1)低溫工藝，HIT太陽 能電池結合了薄膜太陽能電池低溫(200℃~250℃)制造的優(yōu)點;

(2)高效率， HIT電池繼承了單晶硅的高遷移率特點，獨有的帶本征薄層的HIT結構，降 低了HIT界面復合，提高了電池效率;

(3)高穩(wěn)定性，HIT電池的光照穩(wěn)定性和 溫度穩(wěn)定性好;

(4)低成本，HIT太陽能電池的厚度薄， 可以節(jié)省硅材料。

HIT太陽電池雖然誕生的時間不長，但憑借其廉價高效的巨大優(yōu)勢迅速搶占國際光伏市場，成為目前太陽電池領域中耀眼的一顆新星。為了研究HIT太陽能電池專利技術的發(fā)展情況，利用S系統(tǒng)中的CNABS、CNTXT、 SIPOABS、 DWPI等數(shù)據(jù)庫，通過IPC分類號、準確的關鍵詞、轉(zhuǎn)庫檢索，獲得初步結果后去重去噪，然后結合S系統(tǒng)中的統(tǒng)計命令和Excel對該領域的中國專利申請和全球?qū)＠暾堖M行了統(tǒng)計分析，統(tǒng)計的時間節(jié)點2015年4月。

1、中國專利申請分析

本節(jié)主要對中國專利申請狀況的趨勢以及專利重要申請人進行分析。 圖1-1為HIT太陽能電池的中國歷年專利申請量分布，從圖中可以看出，HIT 太陽能電池在中國的申請量重點分布在2009年以后，在 2004-2009年期間，專 利申請量較小且無明顯增長勢頭，說明此階段HIT太陽能電池在我國處于剛 剛起步階段，市場需求還不大;在2009年至2012年期間，專利申請量大幅度增長，技 術 生 長率呈上升趨勢， 屬于技術發(fā)展期，中 國 市 場 需求逐步打開。

圖1-1 中國歷年專利申請量分布

圖1-2 主要專利申請人排名

圖1-2為國內(nèi)主要的申請人，從圖中可以看出，HIT太陽能電池的中國 專利申請中，申請量排名前五位的為常州天合光能有限公司、西安近代化 學研究所、 華南理工大學、山東力諾太陽能電力股份有限公司和吉林大學， 而且與其他申請人的差別較大，說明在我國的專利申請中，專利申請人比較集中，出現(xiàn)了具備一定競爭實力的龍頭企業(yè)，同時研究所和高校的申請 量也較大，說明HIT太陽能電池已應用于產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)并投入市場中，吸引了學 者的研究，具有一定的研究價值。

2、全球?qū)＠治?/p>

本節(jié)主要對國外申請專利進行分析，從專利申請趨勢及專利申請國家 區(qū)域分布進行分析。圖2-1為HIT太陽能電池的全球歷年專利申請量分布， 從圖中可以看出， HIT太陽能電池在全球的申請量重點分布在2008年以后， 在2000年至2007年期間，專利申請量很小且無明顯增長勢頭，此 時 說 明 HIT 太陽能電池剛剛處于起步階段，市場需求還不大;在2009年至2012年期間， 專利申請量增長幅度較大，技 術 生 長率呈上升趨勢，屬于技術發(fā)展期;截止 到統(tǒng)計的時間節(jié)點， 2013年之后的專利申請由于公開時間滯后的原因，而 導致數(shù)據(jù)不完整，尤其是2014年的申請量下降趨勢非常明顯。

圖2-1 全球歷年專利年代分布

圖2-2中示出了HIT太陽能電池在全球?qū)＠暾埬繕藝膰覅^(qū)域分 布， 從圖中可以看到，中 國 是 最 為 重要的目標國家，也是原創(chuàng)技術實力最強 的國家;其 次 為 美 國 、世界知識產(chǎn)權組織、日本、歐洲專利局、韓國、中 國 臺 灣 。從數(shù)據(jù)來看，美國、 世界知識產(chǎn)權組織、 日本，是 該 領域高度關注的競爭 市場，是 該 技 術 的 主 要生產(chǎn)應用國家，HIT太陽能電池技術具有較好的市場前景。

圖2-2 專利申請目標國分布

4、結語

通過上面的分析可以看出，HIT太陽能電池技術正處于快速發(fā)展階段， 申請國家主要集中在中國，其不僅申請的專利數(shù)量多，還掌握了大部分的 核心技術。在我國的專利申請中，有很多高校和企業(yè)的申請人，申請人較為 集中，申請量較大，在申請數(shù)量以及研究深度等方面均達到一定規(guī)模;從目標國家的申請量方面的分析可以看出，中國在 該 領域的市場還是有發(fā)展?jié)摿Φ?，在今后的發(fā)展中，國內(nèi)該領域的申請人應多研究和借鑒前沿技術，加強專利布局 ，重視核心技術的外圍開發(fā)，以保持和繼續(xù)增強我國技術的競爭實力。